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半導體元件物理
作者
：
出版日期
：
1995/03/01
閱讀格式
：
PDF
ISBN
：
9789571422602
本書是國內最高學府電機工程系上課時所用講義，經過約十年不斷修正、增補完成。其中不但介紹半導體基本概念，及多出載體動力學，更將一九八○年代所發展出來的新元件做統一介紹，讓讀者可以從最基本的理論出發，來了解一些元件領域最新的發展。
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第一章 半導體簡介
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1.1 半導體材料
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1.2 佛米級的觀念
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1.3 導電載體的密度
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1.4 總體與受體
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1.5 佛米級的位置
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第二章 載體傳導特性
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2.1 載體的運動
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2.2 多出載體動力學
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2.3 Ambipolar 擴散方程式
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2.4 復合
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第三章 金屬半導體接點
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3.1 發展的歷史
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3.2 固體表面村性
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3.3 蕭基能障的形成
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3.4 空乏區
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3.5 電流傳導機制
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3.6 位障之量法
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3.7 實際元件所考慮因素
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3.8 歐姆接點
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第四章 p-n 接面
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4.1 p-n 接面的形成
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4.2 同質接面
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4.3 電流傳導機制
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4.4 異質接面
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4.5 多重接面
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第五章 雙極電晶體
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5.1 電晶體工作原理
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5.2 同質換面變極電晶體的理想 I-V 特性
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5.3 實際的 I-V 性
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5.4 電晶體的應用
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5.5 異質接面雙極電晶體
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第六章 接面場效電晶體
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6.1 FET 元件特性
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6.2 短通道效應
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6.3 FET 元件開極的製作
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6.4 GaAs IC
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6.5 MESFET 微波元件之等效電路
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6.6 後極加壓效應
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6.7 調變摻雜場效電晶體或高電子移動率電晶體
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第七章 金屬－絕緣層－半導體系統
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7.1 理想的 MIS 結構
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7.2 介面及氧化層電荷
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7.3 電荷藕合元件
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7.4 電荷注入元件
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第八章 絕緣閘極場效電晶體
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8.1 元件工作原理
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8.2 實際元件之行為
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8.3 元件縮小原理
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8.4 IGFET 等效意路與速度嚮應
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8.5 MOSFET 技術的演進
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8.6 MOSFET 積體電路元件
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- 中文索引
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